Josh's Note — 最优阵列处理
Part 1.3 均匀加权线阵
均匀加权线阵的频率-波数响应函数
现在把注意力集中到均匀加权线阵(Uniformly Weighted Linear Array)的情况,即
\[\begin{equation} w_n = \frac{1}{N}, \, n = 0,1,\cdots,N-1 \end{equation}\]
\[\begin{equation} \boldsymbol{w} = \frac{1}{N} \boldsymbol{1} \end{equation}\]
其中 \(\boldsymbol{1}\) 是 \(N \times 1\) 维的单位矢量,则在 \(\psi\) 空间的频率-波数响应函数可以写成(利用等比级数的求和公式)
\[\begin{equation} \begin{aligned} \boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi) &= \frac{1}{N} \sum_{n=0}^{N-1} e^{j \left(n - \frac{N-1}{2}\right)\psi} \\ &= \frac{1}{N} e^{-j \left(\frac{N-1}{2}\right)\psi} \sum_{n=0}^{N-1} e^{j n \psi} \\ &= \frac{1}{N} e^{-j \left(\frac{N-1}{2}\right)\psi} \left[ \frac{1-e^{jN\psi}}{1-e^{j\psi}} \right] \end{aligned} \end{equation}\]
或(利用欧拉公式)
\[\begin{equation} \boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi) = \frac{1}{N} \frac{\sin\left( N \frac{\psi}{2} \right)}{\sin\frac{\psi}{2}} \end{equation}\]
可以观察到:
- 当 \(N\) 是奇数时,\(\boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi)\) 是周期函数,周期为 \(2\pi\);
- 当 \(N\) 为偶数时,波瓣在 \(\pm 2 \pi\)、\(\pm 6 \pi\) 处的值为负值,周期为 \(4 \pi\);
- 对任意的 \(N\),\(\left|\boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi)\right|\) 的周期为 \(2 \pi\)。
当 \(N = 11\) 时, \(\boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi)\) 和 \(\psi\) 的关系在图 1-3-1 中给出。图 1-3-2 给出了 \(\left|\boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi)\right|\),单位为 dB,其中
\[\begin{equation} \boldsymbol{\varUpsilon}_\mathrm{dB}(\psi) = 10 \log_{10} \left|\boldsymbol{\varUpsilon}(\psi)\right|^2 \end{equation}\]
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若不指定 \(\boldsymbol{w}\) 的类型,则 \(\boldsymbol{\varUpsilon}_\psi(\psi)\) 是复数,所以相位也应该画出来。但是,均匀加权线阵具有对称性,因此得到的频率-波数响应是实函数。
也可以用 \(k_z\) 来表示频率-波数响应
\[\begin{equation} \boldsymbol{\varUpsilon}(\omega:k_z) = \frac{1}{N} \frac{\sin\left( N k_z \frac{d}{2} \right)}{\sin \left(k_z\frac{d}{2}\right)} \end{equation}\]
这里 \(\boldsymbol{\varUpsilon}(\omega:k_z)\) 是周期函数,周期为 \(2\pi/d\)。
注意,响应函数仅依赖于波数分量 \(k_z\),是 \(k_z\) 的周期函数,间隔为 \(2\pi/d\),这是线性阵列的一维特性导致的,所以该阵列仅能分析在 \(k_z\) 方向上投影的波数分量。
均匀加权线阵的波束方向图
均匀加权线阵的波束方向图为
\[\begin{equation} B_\theta(\theta) = \frac{1}{N} \frac{\sin\left(\frac{N}{2} \cdot \frac{2\pi}{\lambda} \cos \theta \cdot d \right)}{\sin \left( \frac{1}{2} \cdot \frac{2\pi}{\lambda} \cos\theta \cdot d\right)}, \quad 0 \leqslant \theta \leqslant \pi \\ \end{equation}\]
\[\begin{equation} B_u(u) = \frac{1}{N} \frac{\sin\left(\frac{ \pi Nd}{\lambda} u \right)}{\sin \left( \frac{N d}{\lambda} u\right)}, \quad -1 \leqslant u \leqslant 1 \label{BeamPatternOfUWLAInDirectionCosineDomain} \end{equation}\]
\[\begin{equation} B_\psi(\psi) = \frac{1}{N} \frac{\sin\left(N\frac{\psi}{2}\right)}{\sin \left( \frac{\psi}{2} \right)}, \quad -\frac{2\pi d}{\lambda} \leqslant \psi \leqslant \frac{2\pi d}{\lambda} \label{BeamPatternOfUWLAInWaveNumberDomain} \end{equation}\]
其中定义域分别为 \(0 \leqslant \theta \leqslant \pi\)、\(-1 \leqslant u \leqslant 1\) 和 \(-\displaystyle\frac{2\pi d}{\lambda} \leqslant \psi \leqslant \frac{2\pi d}{\lambda}\),称为可视区域(visible region)。
函数 \(B_u(u)\) 和 \(B_\psi(\psi)\) 有时称为阵列因子(Array Factor)。这个量对非全向性阵元非常重要。
图 1-3-3 给出了 \(B_\theta(\theta)\) 的极坐标形式,单位为 dB。如果在三维空间画出波束方向图,在图 1-3-3 中的图将对应沿着任意方位角 \(\theta\) 切割得到的方向图。图 1-3-4 给出了波束方向图的幅度和不同变量之间的关系。
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虽然以上例子比较简单,但是可以用来展示线性阵列的一些重要特征。
波束方向图的参数
波束方向图的重要特征可以使用波束方向图的参数来描述。
- 3dB 带宽(半功率波束宽度,half-power beamwidth,HPBW)
- 到第一零点的距离(这个距离的两倍称为 \(BW_{NN}\))
- 到第一旁瓣的距离
- 第一旁瓣的高度
- 其余零点的位置
- 旁瓣衰减的速率
- 栅瓣(Grating lobes)
半功率波束宽度
为了说明前两个参数,考虑在图 1-3-5 中给出的原点附近的波束方向图。
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3dB 波束宽度是波束宽度的一个度量。定义为对应 \(\left| B_u(u) \right|^2 = 0.5\) 或 \(\left| B_u(u) \right| = 1/\sqrt{2}\) 的点。可以通过令波束方向图 \(B_u(u)\)(式 \(\eqref{BeamPatternOfUWLAInDirectionCosineDomain}\))等于 \(1/\sqrt{2}\),来求出 \(u\) 空间的半功率点。对于 \(N\geqslant 10\),通过解下面的方程可以得到一个很好的近似:
\[\begin{equation} \frac{\pi N d}{\lambda} u = 1.4 \end{equation}\]
即有
\[\begin{equation} \label{ApproximationOfHPBW} \Delta u_1 = 0.891 \frac{\lambda}{N d} \end{equation}\]
我们把这个间隔称为半功率波束宽度(half-power beamwidth,HPBW)。当 \(N\) 增加时,式 \(\eqref{ApproximationOfHPBW}\) 中的常系数会稍稍减小。对于 \(N > 30\),\(0.886 \lambda/Nd\) 是一个更好的近似表达式。
表 1-3-1 中列出了不同空间内 HPBW 的表达式。
空间 | 任意 \(d\) | \(d=\lambda/2\) |
---|---|---|
\(u\) | \(0.891 \frac{\lambda}{Nd}\) | \(1.782 \frac{1}{N}\) |
\(\bar{\theta}\) 1 | \(2\sin^{-1} \left( 0.446 \frac{\lambda}{Nd} \right)\) | \(2\sin^{-1} \left( 0.891 \frac{1}{N} \right)\) |
较小的 \(\bar{\theta}\) | \(\simeq 0.891 \frac{\lambda}{Nd}\) radians \(\simeq 51.05 \frac{\lambda}{Nd}\) degrees | \(\simeq 1.782 \frac{1}{N}\) radians \(\simeq 102.1 \frac{1}{N}\) degrees |
\(\psi\) | \(0.891 \frac{2\pi}{N}\) | \(0.891 \frac{2\pi}{N}\) |
\(k_z\) | \(0.891 \frac{2\pi}{dN}\) | \(1.782 \frac{2\pi}{\lambda N}\) |
第一零点波束宽度
方向图的零点出现在当波束方向图 \(B_u(u)\)(式 \(\eqref{BeamPatternOfUWLAInDirectionCosineDomain}\))的分子为零而分母不为零时,即
\[\begin{equation} \sin \left( \frac{\pi N d}{\lambda} u \right) = 0 \end{equation}\]
成立的条件为
\[\begin{equation} \frac{\pi N d}{\lambda} u = m\pi, \quad m = 1,2,\cdots \end{equation}\]
则出现零点需要满足下面的两个条件:
\[\begin{equation} u = m \frac{\lambda}{Nd}, \quad m = 1,2,\cdots \end{equation}\]
且
\[\begin{equation} u \ne m \frac{\lambda}{d}, \quad m = 1,2,\cdots \end{equation}\]
则第一个零点的位置为 \(\lambda/Nd\),即有
\[\begin{equation} \Delta u_2 = 2 \frac{\lambda}{Nd} \end{equation}\]
我们把 \(\Delta u_2\) 称为零点-零点波束宽度(null-to-null beamwidth),用 \(BW_{NN}\) 表示。 \(BW_{NN}\) 的一半是到第一零点的距离 (\(0.5 BW_{NN}\)) 。这个量能够衡量阵列分辨两个不同平面波的能力,也称为瑞利限(Rayleigh resolution limit)。如果第二个波束方向图的峰值在第一个波束方向图的第一零点之外(间隔 \(\geqslant \Delta u_2 / 2\)),则认为这两个平面波是可以分辨的。在后面,我们将研究一个阵列的分辨能力的统计性度量。
注意到线阵在方位角方向(\(\varphi\))没有分辨能力,因为该阵列在 \(x\) 和 \(y\) 方向上没有扩展。我们将在后面详细讨论分辨率的问题。
表 1-3-2中列出了在各个不同空间表示出的 \(BW_{NN}\)。
空间 | 任意 \(d\) | \(d=\lambda/2\) |
---|---|---|
\(u\) | \(2 \frac{\lambda}{Nd}\) | \(\frac{4}{N}\) |
\(\bar{\theta}\) | \(2\sin^{-1} \left( \frac{\lambda}{Nd} \right)\) | \(2\sin^{-1} \left( \frac{2}{N} \right)\) |
较小的 \(\bar{\theta}\) | \(\simeq 2 \frac{\lambda}{Nd}\) radians | \(\simeq \frac{4}{N}\) radians |
\(\psi\) | \(\frac{4\pi}{N}\) | \(\frac{4\pi}{N}\) |
\(k_z\) | \(\frac{4\pi}{dN}\) | \(\frac{8\pi}{\lambda N}\) |
旁瓣的位置及其衰减速率
旁瓣极大值的位置出现在当波束方向图 \(B_\psi(\psi)\)(式 \(\eqref{BeamPatternOfUWLAInWaveNumberDomain}\))中的分子逼近极大值的时候:
\[\begin{equation} \sin \left( \frac{N \psi}{2} \right) = 1 \end{equation}\]
则此时有
\[\begin{equation} \frac{N \psi}{2} = \pm \left( 2m+1 \right)\frac{\pi}{2}, \quad m = 1,2,\cdots \end{equation}\]
也即在 \(\psi\) 空间有
\[\begin{equation} \psi = \pm \frac{2m+1}{N}\pi \end{equation}\]
也即在 \(u\) 空间有
\[\begin{equation} u = \pm \frac{2m+1}{N}\frac{\lambda}{2d} \end{equation}\]
则第一旁瓣的峰值出现在
\[\begin{equation} \psi = \pm \frac{2\pi}{N} \end{equation}\]
由于在极大值时,波束方向图 \(B_\psi(\psi)\)(式 \(\eqref{BeamPatternOfUWLAInWaveNumberDomain}\))中的分子趋近为 1,因此极大值为
\[\begin{equation} B_\psi \left( \pm \frac{3\pi}{N} \right) \approx \frac{1}{N \sin \left( \frac{3\pi}{2N} \right)} \end{equation}\]
对于较大的 \(N\),这个表达式可以进一步近似为
\[\begin{equation} B_\psi \left( \pm \frac{3\pi}{N} \right) \approx \frac{3}{2\pi} \end{equation}\]
计算得 -13.5dB。
这意味着一个信号如果在这个旁瓣的位置入射,且比位置在 \(k_z = 0\) 的信号大 13.5dB,则这两个信号将产生相同的响应。主要的旁瓣出现在 \(k_z = \pm(2m + 1) \pi/Nd\),旁瓣的水平衰减速率为 \(1/(2m + 1)\)。例如,第二旁瓣的高度为 -17.9dB。在实际中,这种旁瓣水平的分辨能力是不能被接受的,所以很少使用均匀加权。旁瓣控制在确定性阵列和自适应阵列设计中都是特别重要的问题。
栅瓣(Grating lobes)
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在图 1-3-6 中,针对多种 \(d/\lambda\) 的值,画出了 \(\left| \boldsymbol{\varUpsilon}_u(u) \right|\)。图中说明了“栅瓣”这个重要的概念,即和主波束一样高的波瓣。栅瓣发生在当波束方向图 \(B_\psi(\psi)\)(式 \(\eqref{BeamPatternOfUWLAInWaveNumberDomain}\))中的分子和分母均为零的时候。栅瓣出现的间隔为
\[\begin{equation} \frac{\psi}{2} = m \cdot \pi \end{equation}\]
也即
\[\begin{equation} \psi = m \cdot 2 \pi \end{equation}\]
也即
\[\begin{equation} u = m \cdot \frac{\lambda}{d} \end{equation}\]
如果阵列的间距大于 \(\lambda\),则栅瓣的峰值出现在信号传播区域以内,即在 \(\left| u \right| \leqslant 1\) 的区域以内。这里就会出现峰值响应模糊的问题,只有当我们对信号的入射方向有先验信息的时候,才可能解决这个问题。
下一节将讨论阵列调向的问题,阵列调向使得在 \(u\) 空间的频率-波数响应函数 \(\left| \boldsymbol{\varUpsilon}_u(u) \right|\) 发生平移,这种平移导致栅瓣进入了可视区域以内。我们发现,如果阵列需要的调向范围为 \(0^\circ \leqslant \theta \leqslant 180^\circ\) 则需要
\[\begin{equation} \frac{d}{\lambda} \leqslant \frac{1}{2} \end{equation}\]
也即
\[\begin{equation} \lambda \leqslant \frac{\lambda}{2} \end{equation}\]
通常,我们考虑满足 \(d \leqslant \lambda/2\) 的阵列,并假设需要在整个球内进行调向。我们把满足 \(d = \lambda/2\) 的均匀线阵称为标准线阵(standard linear array)。
在时间序列分析中,当对时域波形欠采样时,会出现混迭问题。栅瓣的问题和时域混迭问题是等同的。
参考文献
- Harry L. Van Trees. Optimum array processing: Part IV of detection, estimation, and modulation theory. New York, NY, USA: John Wiley & Sons, 2002.
- Harry L. Van Trees, 汤俊. 最优阵列处理技术. 北京:清华大学出版社. 2008.