Zynq MPSoC / RFSoC 动态配置 DIMM DDR
对于 DIMM 拓扑的 DDR,通常可以使用 I2C 对搭载在 DIMM 上的 SPD EEPROM 进行读取后获得配置参数,然后对 DDR 控制器进行配置。
AMD Xilinx UG1085 的 Dynamic DDR Configuration 一节指出,当 DDR 控制器处于复位状态时,可以在运行时通过 FSBL 获取 DDR 参数并对 DDR 控制器进行初始化。
本文基于 Zynq RFSoC,对 PS 端的 SO-DIMM DDR 进行动态配置。
名词释义
- BSP:Board Support Package,板级支持包
- EEPROM:Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory,电子擦除式可复写只读存储器
- FSBL:First Stage Bootloader,第一阶段引导加载程序
- DDR DRAM:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory,双倍数据率同步动态随机存取存储器
- DIMM:Dual In-line Memory Modules,双列直插式存储模块
- PCW:Processing System Configuration Wizard,处理系统配置向导
- SO-DIMM:Small Outline Dual In-line Memory Modules,小外形双列直插式内存模块
- SPD:Serial Presence Detect,串行存在检测
硬软件版本
硬软件 | 型号/版本 |
---|---|
FPGA | Zynq RFSoC XCZU48DR-2-FSVG1517-I |
DDR4 | Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
I2C Mux | TI TCA9548APWR |
Vivado | 2024.1 |
Vitis Classic | 2024.1 |
Zynq MPSoC / RFSoC 动态 DDR 配置简介
Zynq MPSoC / RFSoC 动态 DDR 配置具有如下特性:
- 无需在 Vivado 中进行改动即可更换 DIMM,并使用动态 DDR 配置初始化 DDR;
- 支持 DDR3 和 DDR4 DIMM;
- 单一的 PetaLinux BSP 即可支持任何可安装的 DIMM 器件。
动态 DDR 配置功能仅可用于 PS DIMM DDR,不支持颗粒 DDR。
具体操作方法
PCW GUI 配置
在使用动态 DDR 配置之前,需要在如图 1 的 Vivado 的 PCW GUI 中启用 DDR 控制器,且将“DDR Controller Options”部分设置为:
- Memory Type:DDR4 或 DDR3
- Components:UDIMM 或 RDIMM
- ECC:Enabled 或 Disabled
- Effective DRAM Bus Width:64 Bit
动态 DDR 配置将自动读取 SPD 表,并设置“DDR Memory Option”部分的所有参数,如下表。
Option | Value Example | Option | Value Example |
---|---|---|---|
Speed Bin (Use Tooltip) | DDR42133P | DRAM IC Bus Width (per die) | 8 Bits |
Cas Latency | 15 | DRAM Device Capacity(per die) | 4096 MBits |
RAS to CAS Delay (Cycles) | 15 | Bank Group Address Count (Bits) | 2 |
Pre-charge Time (Cycles) | 15 | Bank Address Count (Bits) | 2 |
Cas Write Latency (Cycles) | 14 | Row Address Count (Bits) | 15 |
tRC (ns) | 46.5 | Column Address Count | 10 |
tRASmin (ns) | 33 | Dual Rank | |
tFAW (ns) | 21 | DDR Size (in hexa) | 0XFFFFFFFF (4GB) |
Additive Latency (Cycles) | 0 |
而“Other Options”部分的所有值都需要用户根据需要设置,无法从 SPD 表中获得,如下表。
Option | Value Example | Option | Value Example |
---|---|---|---|
Memory Address Map | ROW BANK COL | Power Mode Settings | Power Down Enable |
Data Mask and DBI | DM NO DBI | Clock Stop | |
Address Mirroring | Refresh Mode Settings | ||
2nd Clock | Lower-Power Auto Self-Refresh | Manual Normal | |
Parity | Temp Controlled Refresh | ||
2Tck Command Timing (2T) | Max. Operating Temperature | Normal (0-85) | |
Fine Granularity Refresh Mode | 1x | ||
Self-Refresh Abort |
启用动态 DDR 配置功能
要启用动态 DDR 配置功能,需要在 Vivado 中使用 TCL 命令将参数 CONFIG.PSU_DYNAMIC_DDR_CONFIG_EN
置为 1:
1 | set_property CONFIG.PSU_DYNAMIC_DDR_CONFIG_EN 1 [get_bd_cells /zynq_ultra_ps_e] |
这里的 zynq_ultra_ps_e
需要替换为实际 Block Design 中 Zynq UltraScale+ MPSoC IP 核的名称,如图 2。
然后重新生成 Output Products 即可(若除 PS 处理器外还有其他逻辑,则需要重新生成比特流)。FSBL 将会在启动过程中使用该参数,并执行动态 DDR 配置。
如果设置了上述参数却出现了如下警告,是因为 GUI 中 DDR 类型必须为 UDIMM 或 RDIMM,不能为 Component。
1 | WARNING: [BD 41-721] Attempt to set value '1' on disabled parameter 'PSU_DYNAMIC_DDR_CONFIG_EN' of cell '/zynq_ultra_ps_e_0' is ignored |
I2C 硬件要求
由于动态 DDR 配置需要在 FSBL 中使用 I2C 读取 DDR SPD EEPROM 中的数据,而在 Xilinx 自动生成 FSBL 中,I2C 读取 DDR SPD EEPROM 的方式是固定的,因此若不想对生成的 FSBL 进行修改,则需要在硬件上适配 FSBL。
Xilinx FSBL 使用 I2C1(1 号 I2C 控制器),借助一个 I2C Mux 与 SPD EEPROM 进行通信,使用的地址为:
- I2C Mux 地址: 0x75
- I2C Slave 地址: 0b1010001 (0x51)
- SODIMM SA[2:0]: 0b001
从 Vivado 2019.1 开始,动态 DDR 配置对于所有使用 DIMM DDR 的 Zynq MPSoC / RFSoC 评估板均启用,在使用预置硬件配置时无需额外用户操作。
根据硬件修改 FSBL
若 I2C 硬件连接不满足上述要求,还可以按照实际连接关系修改 FSBL。FSBL 中使用 I2C 读取 DDR SPD EEPROM 的函数为 u32 XFsbl_IicReadSpdEeprom(u8 *SpdData)
。
1 | u32 XFsbl_DdrInit(void) |
下面对函数进行拆解,结合注释可以更好理解操作的过程。
初始化 I2C 控制器
首先对 I2C 控制器 I2C1 进行初始化。值得一提的是,从 Vivado / Vitis 2023.2 版本开始,对设备进行寻址时,不再依赖于设备的 Device ID,而是直接使用基地址 Base Address,少了从 Device ID 到 Base Address 这一步操作,从开发的角度来看更为合理了。
若设计使用了 I2C 控制器 I2C0,则可以改为使用基地址 XPAR_I2C0_BASEADDR
或 Device ID XPAR_PSU_I2C_0_DEVICE_ID
来寻找设备。
1 | static u32 XFsbl_IicReadSpdEeprom(u8 *SpdData) |
选择 I2C Mux 的 Slave
由于开发板搭载了较多 I2C 外设,而 Zynq MPSoC / RFSoC 的 I2C 控制器数量有限,因此需要通过 I2C Mux 来扩展所连 I2C Slave 的数量。
本板卡 I2C1 原理图如图 3,所用 I2C Mux 的型号为 TCA9548A,其地址配置方式如图 4,Slave 选择方式如图 5,这里均和评估板保持一致,因此可以与自动生成的 FSBL 兼容。
结合图 3 和图 4 可知 I2C Mux 的地址为 0x75
,从图 3 中可知 PS DDR4 SODIMM 的 I2C 连接在了第 3 号 Slave 的位置,因此按照图 5 需要将 B3 置 1,也即需要向地址为 0x75
的 I2C Mux TCA9548A 的控制寄存器中写入 0x08
。
按照上述分析,下面的代码就不难理解了,首先向地址为 XFSBL_MUX_ADDR
(默认为 0x75
)的 I2C Mux 写入选通配置 0x08
,然后从同样的地址回读,验证配置是否正确。
- 若设计中没有使用到 I2C Mux,而是直接将 I2C 控制器连接到了 DIMM,则可以删去这部分代码;
- 若设计中 I2C Mux 地址不同,则可以修改
XFSBL_MUX_ADDR
的宏定义; - 若设计中 I2C Mux 连接的 Slave 不同,可以修改 I2C 发送的
TxArray
。
1 | static u32 XFsbl_IicReadSpdEeprom(u8 *SpdData) |
读取 EEPROM 的第一页
配置完 I2C Mux 后,即可开始读取 SPD EEPROM 中的内容了。图 6 给出了 EEPROM 支持的指令表,由于 EEPROM 一次读的最大长度为一页,也即一个 Page,因此需要分两次对其中的两个 Page 进行读取。
首先设置 Page Address 为 0,也即向地址 0x36
中写入 0x00
,表示从 Page 0 中进行读取,一次读取 256 Byte。
通常 SPD EEPROM 的 Page 选择地址是固定的,如果 Page Address 0 的地址有变更,修改 XFSBL_SODIMM_CONTROL_ADDR_LOW
的宏定义即可。
1 | static u32 XFsbl_IicReadSpdEeprom(u8 *SpdData) |
读取 EEPROM 的第二页
然后设置 Page Address 为 1,也即向地址 0x37
中写入 0x00
,表示从 Page 0 中进行读取,一次读取 256 Byte。
通常 SPD EEPROM 的 Page 选择地址是固定的,如果 Page Address 1 的地址有变更,修改 XFSBL_SODIMM_CONTROL_ADDR_HIGH
的宏定义即可。
1 | static u32 XFsbl_IicReadSpdEeprom(u8 *SpdData) |
调试
配置完成后可以实测了,这里对 FSBL 进行 Debug,观察整个读写的过程。在单独调试 FSBL 的时候,可以不勾选“Program FPGA”和“Initialize using FSBL”,如图 7。
将断点设置在函数 XFsbl_IicReadSpdEeprom()
被调用的地方。
观察 I2C Mux 回读的数据。回读的数据存储在 SpdData
数组中,可以观察到数组的第 0 个字节为 0x08
,与写入的数据一致。
然后观察 I2C EEPROM 回读的数据,并与 Micron 给出的 MTA4ATF51264HZ-2G6E1 的 SPD 数据进行对比,可以观察到数据是一致的。
最后,XFsbl_DdrInit()
函数的剩余部分会完成 DDR 参数的解析与 DDR 控制器的初始化。
参考文档
75768 - Zynq MPSoC Dynamic DDR Configuration Support for DIMM Devices